品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S204ATMA2
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:170nC@10V
阈值电压:4V@250µA
功率:300W
ECCN:EAR99
导通电阻:3.4mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M3R3-40HX
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.6V@1mA
功率:101W
输入电容:3037pF@25V
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S2H4ATMA2
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:4400pF@25V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
功率:300W
栅极电荷:148nC@10V
导通电阻:3.7mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
栅极电荷:60nC@10V
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:4mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.2V@35µA
输入电容:4690pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P04P405ATMA2
导通电阻:5.2mΩ@80A,10V
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:10300pF@25V
栅极电荷:151nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":970,"22+":18000,"MI+":1000}
规格型号(MPN):IPB80N04S303ATMA1
功率:188W
连续漏极电流:80A
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@120µA
输入电容:7300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P04P4L04ATMA2
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:11570pF@25V
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:176nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P04P407ATMA1
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:7.4mΩ@80A,10V
类型:P沟道
功率:88W
栅极电荷:89nC@10V
阈值电压:4V@150µA
输入电容:6085pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
栅极电荷:60nC@10V
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:4mΩ@80A,10V
阈值电压:2.2V@35µA
输入电容:4690pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"19+":647}
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
栅极电荷:60nC@10V
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:4mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.2V@35µA
输入电容:4690pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S204ATMA2
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:170nC@10V
阈值电压:4V@250µA
功率:300W
ECCN:EAR99
导通电阻:3.4mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":1500}
规格型号(MPN):BUK7M3R3-40HX
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
功率:101W
输入电容:3037pF@25V
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P04P405ATMA2
导通电阻:5.2mΩ@80A,10V
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:10300pF@25V
栅极电荷:151nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
栅极电荷:60nC@10V
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:4mΩ@80A,10V
阈值电压:2.2V@35µA
输入电容:4690pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":4000}
规格型号(MPN):IPB80N04S2H4ATMA2
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:4400pF@25V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
功率:300W
栅极电荷:148nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:3.7mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC80N04S6N036ATMA1
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:50W
输入电容:1338pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3V@18µA
导通电阻:3.68mΩ@40A,10V
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC80N04S6N036ATMA1
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:50W
输入电容:1338pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3V@18µA
导通电阻:3.68mΩ@40A,10V
栅极电荷:22nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P04P4L08ATMA2
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.2V@120µA
输入电容:5430pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:8.2mΩ@80A,10V
栅极电荷:92nC@10V
ECCN:EAR99
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P04P4L06ATMA2
输入电容:6580pF@25V
连续漏极电流:80A
阈值电压:2.2V@150µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:104nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:6.7mΩ@80A,10V
类型:P沟道
功率:88W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P04P4L06ATMA2
输入电容:6580pF@25V
连续漏极电流:80A
阈值电压:2.2V@150µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:104nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:6.7mΩ@80A,10V
类型:P沟道
功率:88W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P04P405ATMA2
导通电阻:5.2mΩ@80A,10V
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:10300pF@25V
栅极电荷:151nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4F3
功率:110W
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:2200pF@25V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC80N04S6N036ATMA1
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:50W
输入电容:1338pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3V@18µA
导通电阻:3.68mΩ@40A,10V
栅极电荷:22nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S2H4ATMA2
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:4400pF@25V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
功率:300W
栅极电荷:148nC@10V
导通电阻:3.7mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P04P4L06ATMA2
输入电容:6580pF@25V
连续漏极电流:80A
阈值电压:2.2V@150µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:104nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:6.7mΩ@80A,10V
类型:P沟道
功率:88W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC80N04S6N036ATMA1
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:50W
输入电容:1338pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3V@18µA
导通电阻:3.68mΩ@40A,10V
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P04P4L04ATMA2
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:11570pF@25V
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:176nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4LF3
功率:110W
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:2500pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
工作温度:-55℃~175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M3R3-40HX
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.6V@1mA
功率:101W
输入电容:3037pF@25V
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S2H4ATMA2
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:4400pF@25V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
功率:300W
栅极电荷:148nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:3.7mΩ@80A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: