品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:16.8A€70A
功率:2.6W
导通电阻:7.3mΩ@20A,10V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:1895pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LFDFWQ-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:11.6A
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:990mW
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14.2nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360LET40
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
连续漏极电流:27A€141A
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€75W
输入电容:5300pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LPSQ-13
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:15.5A€100A
类型:N沟道
功率:2.7W€150W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:1895pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":4213}
规格型号(MPN):FDD8444L-F085
输入电容:5530pF@25V
连续漏极电流:16A€50A
包装方式:卷带(TR)
功率:153W
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:60nC@5V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:5.2mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LFDFWQ-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:11.6A
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:990mW
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14.2nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:11.5A€49.8A
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:11.2nC@10V
导通电阻:13.7mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9407L-F085
功率:227W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:125nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V
连续漏极电流:100A
输入电容:6700pF@25V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13
输入电容:1088pF@20V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.4A€64.8A
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
功率:2.99W€55.5W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:15.3nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD454A
连续漏极电流:20A
导通电阻:30mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:2.5W€37W
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:10.8nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:650pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360LET40
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
连续漏极电流:27A€141A
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€75W
输入电容:5300pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":302396,"MI+":24922}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409L-F085
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
栅极电荷:68nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:3360pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):AOB4184
功率:2.5W€50W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A€50A
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1800pF@20V
栅极电荷:35nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":2960}
规格型号(MPN):FDMS8350LET40
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:49A€300A
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:16590pF@20V
功率:3.33W€125W
栅极电荷:219nC@10V
导通电阻:0.85mΩ@47A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13
输入电容:1088pF@20V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.4A€64.8A
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
功率:2.99W€55.5W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:15.3nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8440
输入电容:24740pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:450nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
导通电阻:2.2mΩ@80A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13
输入电容:1088pF@20V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.4A€64.8A
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
功率:2.99W€55.5W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:15.3nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LPSQ-13
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:15.5A€100A
类型:N沟道
功率:2.7W€150W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:1895pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13
输入电容:1088pF@20V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.4A€64.8A
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
功率:2.99W€55.5W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:15.3nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4213}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8444L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:153W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@25V
连续漏极电流:16A€50A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9403L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@20V
连续漏极电流:53.3A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.99W€55.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@20V
连续漏极电流:14.4A€64.8A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:11.5A€49.8A
类型:N沟道
导通电阻:13.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LFDFWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:990mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:11.6A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":7500,"21+":1315}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9411L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:48.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1210pF@20V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8453LZ-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3515pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1950,"24+":0,"MI+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL1404STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N-Channel
导通电阻:4mΩ@95A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@30V
连续漏极电流:16.8A€70A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W€150W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@30V
连续漏极电流:15.5A€100A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W€150W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@30V
连续漏极电流:15.5A€100A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: