品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NWFAFT1G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:47nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"19+":2900,"20+":619,"22+":1707,"23+":2291}
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04CL
功率:4.1W€166W
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:50A€316A
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:6100pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:48W
类型:N沟道
导通电阻:7.35mΩ@14A,10V
栅极电荷:55nC@10V
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:58A
输入电容:2450pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C426NT1G
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:4300pF@25V
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
功率:3.8W€128W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:41A€235A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA36EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.24mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:107nC@10V
连续漏极电流:350A
功率:500W
ECCN:EAR99
输入电容:6636pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C456NT1G
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
导通电阻:4.5mΩ@35A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:20A€80A
功率:3.6W€55W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ138EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:81nC@10V
漏源电压:40V
输入电容:4715pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.8mΩ@15A,10V
连续漏极电流:330A
功率:312W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA36EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.24mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:107nC@10V
连续漏极电流:350A
功率:500W
ECCN:EAR99
输入电容:6636pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G
功率:3.9W€166W
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
连续漏极电流:46A€300A
输入电容:6100pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT1G
功率:3.9W€166W
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
连续漏极电流:46A€300A
输入电容:6100pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA36EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.24mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:107nC@10V
连续漏极电流:350A
功率:500W
ECCN:EAR99
输入电容:6636pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200A
漏源电压:40V
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
栅极电荷:165nC@10V
输入电容:14780pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:48W
类型:N沟道
导通电阻:7.35mΩ@14A,10V
栅极电荷:55nC@10V
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:58A
输入电容:2450pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C430NT1G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:47nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":14400}
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTB5405NT4G
包装方式:卷带(TR)
功率:3W€150W
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@40A,10V
阈值电压:3.5V@250µA
输入电容:4000pF@32V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:88nC@10V
连续漏极电流:116A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD100N04-3M6_GE3
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
连续漏极电流:100A
输入电容:6700pF@25V
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":3000}
规格型号(MPN):NVMFS5C468NT1G
导通电阻:12mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
漏源电压:40V
连续漏极电流:12A€35A
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€28W
栅极电荷:7.9nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C410NAFT1G
功率:3.9W€166W
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
连续漏极电流:46A€300A
输入电容:6100pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_GE3
输入电容:4000pF@25V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:85nC@10V
功率:71W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G
功率:3.9W€166W
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
连续漏极电流:46A€300A
输入电容:6100pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"16+":7883}
规格型号(MPN):NTD5804NT4G
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
漏源电压:40V
输入电容:2850pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@30A,10V
功率:71W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:69A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ146EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:75A
导通电阻:7mΩ@15A,10V
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1500pF@25V
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ144AER-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9020pF@25V
漏源电压:40V
导通电阻:0.9mΩ@20A,10V
栅极电荷:145nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
连续漏极电流:575A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C426NT1G
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:4300pF@25V
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
功率:3.8W€128W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:41A€235A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04CL
功率:4.1W€166W
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:50A€316A
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:6100pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C430NT1G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:47nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_T4GE3
输入电容:4000pF@25V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:85nC@10V
功率:71W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ146EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:75A
导通电阻:7mΩ@15A,10V
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1500pF@25V
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_T4GE3
输入电容:4000pF@25V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:85nC@10V
功率:71W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA34EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:50nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:75A
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:4.3mΩ@10A,10V
输入电容:2800pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: