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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NWFAFT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NWFAFT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NWFAFT1G

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:1.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    输入电容:3300pF@25V

    连续漏极电流:35A€185A

    类型:N沟道

    功率:3.8W€106W

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:47nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04CL 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04CL 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"19+":2900,"20+":619,"22+":1707,"23+":2291}

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04CL

    功率:4.1W€166W

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:50A€316A

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:6100pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:48W

    类型:N沟道

    导通电阻:7.35mΩ@14A,10V

    栅极电荷:55nC@10V

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:58A

    输入电容:2450pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C426NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C426NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C426NT1G

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    输入电容:4300pF@25V

    导通电阻:1.3mΩ@50A,10V

    功率:3.8W€128W

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:41A€235A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA36EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA36EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA36EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:1.24mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:107nC@10V

    连续漏极电流:350A

    功率:500W

    ECCN:EAR99

    输入电容:6636pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C456NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C456NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C456NT1G

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@25V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:20A€80A

    功率:3.6W€55W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ138EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ138EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ138EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:81nC@10V

    漏源电压:40V

    输入电容:4715pF@25V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:1.8mΩ@15A,10V

    连续漏极电流:330A

    功率:312W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA36EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA36EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA36EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:1.24mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:107nC@10V

    连续漏极电流:350A

    功率:500W

    ECCN:EAR99

    输入电容:6636pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT3G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT3G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G

    功率:3.9W€166W

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:0.92mΩ@50A,10V

    连续漏极电流:46A€300A

    输入电容:6100pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT1G 起订376个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT1G 起订376个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C410NT1G

    功率:3.9W€166W

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:0.92mΩ@50A,10V

    连续漏极电流:46A€300A

    输入电容:6100pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA36EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA36EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA36EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:1.24mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:107nC@10V

    连续漏极电流:350A

    功率:500W

    ECCN:EAR99

    输入电容:6636pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200A

    漏源电压:40V

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    栅极电荷:165nC@10V

    输入电容:14780pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ868EP-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:48W

    类型:N沟道

    导通电阻:7.35mΩ@14A,10V

    栅极电荷:55nC@10V

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:58A

    输入电容:2450pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C430NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C430NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C430NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:1.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    输入电容:3300pF@25V

    连续漏极电流:35A€185A

    类型:N沟道

    功率:3.8W€106W

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:47nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB5405NT4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB5405NT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"20+":14400}

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):NTB5405NT4G

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3W€150W

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@40A,10V

    阈值电压:3.5V@250µA

    输入电容:4000pF@32V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:88nC@10V

    连续漏极电流:116A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD100N04-3M6_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD100N04-3M6_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD100N04-3M6_GE3

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    连续漏极电流:100A

    输入电容:6700pF@25V

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C468NT1G 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C468NT1G 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":3000}

    规格型号(MPN):NVMFS5C468NT1G

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:12A€35A

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€28W

    栅极电荷:7.9nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C410NAFT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C410NAFT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C410NAFT1G

    功率:3.9W€166W

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:0.92mΩ@50A,10V

    连续漏极电流:46A€300A

    输入电容:6100pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_GE3

    输入电容:4000pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    栅极电荷:85nC@10V

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT3G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT3G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G

    功率:3.9W€166W

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:0.92mΩ@50A,10V

    连续漏极电流:46A€300A

    输入电容:6100pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5804NT4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5804NT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"16+":7883}

    规格型号(MPN):NTD5804NT4G

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:45nC@10V

    漏源电压:40V

    输入电容:2850pF@25V

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@30A,10V

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:69A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ146EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ146EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ146EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    栅极电荷:27nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:75A

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1500pF@25V

    功率:75W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ144AER-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ144AER-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ144AER-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9020pF@25V

    漏源电压:40V

    导通电阻:0.9mΩ@20A,10V

    栅极电荷:145nC@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:600W

    连续漏极电流:575A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C426NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C426NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C426NT1G

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    输入电容:4300pF@25V

    导通电阻:1.3mΩ@50A,10V

    功率:3.8W€128W

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:41A€235A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04CL 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04CL 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04CL

    功率:4.1W€166W

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:50A€316A

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:6100pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C430NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C430NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C430NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:1.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    输入电容:3300pF@25V

    连续漏极电流:35A€185A

    类型:N沟道

    功率:3.8W€106W

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:47nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_T4GE3

    输入电容:4000pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    栅极电荷:85nC@10V

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ146EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ146EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ146EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    栅极电荷:27nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:75A

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1500pF@25V

    功率:75W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_T4GE3

    输入电容:4000pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    栅极电荷:85nC@10V

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA34EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA34EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA34EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    栅极电荷:50nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:75A

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    输入电容:2800pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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