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    漏源电压: 40V
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    类型: N沟道
    栅极电荷: 23nC@10V
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG

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    功率:3.1W€68W

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    类型:N沟道

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订2500个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

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    分类:Mosfet场效应管

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订100个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订500个装
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    分类:Mosfet场效应管

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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订500个装
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订1000个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG 起订500个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订10个装
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    分类:Mosfet场效应管

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG 起订100个装
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG 起订1000个装
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    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订100个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

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    包装清单:商品主体 * 1

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订5个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订5个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

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    规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S55R4ATMA1

    阈值电压:3.4V@17µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    导通电阻:5.4mΩ@20A,10V

    功率:48W

    类型:N沟道

    栅极电荷:23nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    ECCN:EAR99

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    功率:3.1W€68W

    输入电容:1443pF@20V

    栅极电荷:23nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:12A€54A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S55R4ATMA1

    阈值电压:3.4V@17µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    导通电阻:5.4mΩ@20A,10V

    功率:48W

    类型:N沟道

    栅极电荷:23nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    ECCN:EAR99

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S55R4ATMA1

    阈值电压:3.4V@17µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    导通电阻:5.4mΩ@20A,10V

    功率:48W

    类型:N沟道

    栅极电荷:23nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    ECCN:EAR99

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C450NWFAFT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C450NWFAFT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C450NWFAFT1G

    连续漏极电流:24A€102A

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    导通电阻:3.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    阈值电压:3.5V@65µA

    功率:3.6W€68W

    类型:N沟道

    栅极电荷:23nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:3.1W€68W

    栅极电荷:23nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1269pF@20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:12A€54A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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