品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1443pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1269pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1269pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1269pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
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连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
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品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
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输入电容:1269pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
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输入电容:1443pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
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输入电容:1269pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
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连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
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输入电容:1443pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1269pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1443pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1443pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1269pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1269pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1269pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1443pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1269pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1443pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1443pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1269pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1443pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1443pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1269pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S55R4ATMA1
阈值电压:3.4V@17µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
功率:48W
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
导通电阻:11mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:3.1W€68W
输入电容:1443pF@20V
栅极电荷:23nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:12A€54A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S55R4ATMA1
阈值电压:3.4V@17µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
功率:48W
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S55R4ATMA1
阈值电压:3.4V@17µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
功率:48W
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C450NWFAFT1G
连续漏极电流:24A€102A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
导通电阻:3.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:3.5V@65µA
功率:3.6W€68W
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG
导通电阻:11mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:3.1W€68W
栅极电荷:23nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1269pF@20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:12A€54A
包装清单:商品主体 * 1
库存: