品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"19+":790,"24+":8000}
规格型号(MPN):IPB100N04S303ATMA1
包装方式:卷带(TR)
功率:214W
漏源电压:40V
栅极电荷:145nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:2.5mΩ@80A,10V
连续漏极电流:100A
输入电容:9600pF@25V
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"14+":17085,"16+":17740,"19+":16503}
规格型号(MPN):IPB100N04S2L03ATMA2
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:6000pF@25V
栅极电荷:230nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:3mΩ@80A,10V
连续漏极电流:100A
功率:300W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":9000}
规格型号(MPN):AUIRFU8403
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:99nC@10V
导通电阻:3.1mΩ@76A,10V
阈值电压:3.9V@100µA
包装方式:管件
功率:99W
连续漏极电流:100A
输入电容:3171pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S51R9ATMA1
栅极电荷:65nC@10V
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.4V@50µA
漏源电压:40V
输入电容:3770pF@25V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
功率:100W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R9ATMA1
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:81nC@10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:4310pF@25V
连续漏极电流:100A
功率:100W
阈值电压:2V@50µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):DMTH4004SCTB-13
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
输入电容:4305pF@25V
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115
包装方式:卷带(TR)
功率:117W
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:49nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
输入电容:2754pF@20V
ECCN:EAR99
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":140,"22+":1334,"23+":59955}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR8405TRL
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:1.98mΩ@90A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.9V@100µA
输入电容:5171pF@25V
连续漏极电流:100A
功率:163W
栅极电荷:155nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40020EL_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:107W
输入电容:8800pF@25V
漏源电压:40V
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
栅极电荷:165nC@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":550,"18+":1700,"21+":1946,"23+":6000,"9999":721}
规格型号(MPN):BUK753R1-40E,127
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:79nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
功率:234W
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:6200pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R8-40YLC,115
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:6680pF@20V
类型:N沟道
功率:272W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR8403TRL
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:99nC@10V
导通电阻:3.1mΩ@76A,10V
阈值电压:3.9V@100µA
功率:99W
连续漏极电流:100A
输入电容:3171pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3900,"23+":823578,"24+":171702}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S51R2ATMA1
栅极电荷:131nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:3.4V@90µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
连续漏极电流:100A
输入电容:7650pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:3.03W
栅极电荷:79.5nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:6968pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):CSD18502KCS
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:259W
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
导通电阻:2.9mΩ@100A,10V
包装方式:管件
栅极电荷:62nC@10V
连续漏极电流:100A
输入电容:4680pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115
包装方式:卷带(TR)
功率:117W
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:49nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
输入电容:2754pF@20V
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y4R4-40E,115
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:3.7mΩ@25A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@1mA
功率:147W
连续漏极电流:100A
栅极电荷:26.8nC@5V
输入电容:4077pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R4-40YLDX
栅极电荷:96nC@10V
功率:238W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:6661pF@20V
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@25A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@1mA
连续漏极电流:100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y3R5-40E,115
包装方式:卷带(TR)
功率:167W
漏源电压:40V
输入电容:3583pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
栅极电荷:49.4nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
功率:106W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
输入电容:2410pF@20V
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":400}
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF1104PBF
漏源电压:40V
功率:170W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:9mΩ@60A,10V
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:2900pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S51R7ATMA1
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:115W
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.4V@60µA
栅极电荷:83nC@10V
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IXTP100N04T2
漏源电压:40V
输入电容:2690pF@25V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
栅极电荷:25.5nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:7mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":13,"18+":2735,"19+":3200,"MI+":800}
规格型号(MPN):BUK663R2-40C,118
功率:204W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:125nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:8020pF@25V
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R4-40YLDX
栅极电荷:96nC@10V
功率:238W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:6661pF@20V
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@25A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@1mA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD100N04-3M6_GE3
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
连续漏极电流:100A
输入电容:6700pF@25V
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y3R0-40E,115
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:5962pF@25V
功率:194W
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@1mA
导通电阻:2.5mΩ@25A,10V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:35.5nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6N022ATMA1
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2.26mΩ@50A,10V
阈值电压:3V@32µA
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
输入电容:2421pF@25V
ECCN:EAR99
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115
包装方式:卷带(TR)
功率:131W
输入电容:3776pF@12V
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
栅极电荷:63nC@10V
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6N015ATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@50A,10V
阈值电压:3V@50µA
栅极电荷:55nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
功率:100W
输入电容:3470pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: