品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:16.8A€70A
功率:2.6W
导通电阻:7.3mΩ@20A,10V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:1895pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH4011SPSQ-13
功率:2.5W€150W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:1405pF@20V
连续漏极电流:12.9A€100A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:25.5nC@10V
导通电阻:10mΩ@50A,10V
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LFDFWQ-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:11.6A
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:990mW
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14.2nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH4011SK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:1405pF@20V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
功率:2.6W
栅极电荷:25.5nC@10V
导通电阻:10mΩ@50A,10V
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):DMTH4004SCTB-13
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
输入电容:4305pF@25V
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LFG-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:2798pF@20V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:2.62W€65.2W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:3mΩ@20A,10V
栅极电荷:40.1nC@10V
连续漏极电流:24A€100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:3.03W
栅极电荷:79.5nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:6968pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LPSQ-13
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:15.5A€100A
类型:N沟道
功率:2.7W€150W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:1895pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LFDFWQ-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:11.6A
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:990mW
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14.2nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:11.5A€49.8A
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:11.2nC@10V
导通电阻:13.7mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH4006SPSQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:7mΩ@50A,10V
栅极电荷:50.9nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:110A
输入电容:2280pF@25V
阈值电压:4V@250µA
功率:1.6W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LFG-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:2798pF@20V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:2.62W€65.2W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:3mΩ@20A,10V
栅极电荷:40.1nC@10V
连续漏极电流:24A€100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SPSQ-13
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20.9A€100A
栅极电荷:49.1nC@10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
输入电容:3062pF@20V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
功率:2.6W€150W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13
输入电容:1088pF@20V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.4A€64.8A
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
功率:2.99W€55.5W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:15.3nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:2693pF@20V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.5nC@10V
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SPS-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N-Channel
ECCN:EAR99
连续漏极电流:20.9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:3.03W
栅极电荷:79.5nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:6968pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LFGQ-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:2798pF@20V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:2.62W€65.2W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:3mΩ@20A,10V
栅极电荷:40.1nC@10V
连续漏极电流:24A€100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LFGQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:2798pF@20V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:2.62W€65.2W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:3mΩ@20A,10V
栅极电荷:40.1nC@10V
连续漏极电流:24A€100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:2693pF@20V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.5nC@10V
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13
输入电容:1088pF@20V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.4A€64.8A
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
功率:2.99W€55.5W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:15.3nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LFGQ-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:2798pF@20V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:2.62W€65.2W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:3mΩ@20A,10V
栅极电荷:40.1nC@10V
连续漏极电流:24A€100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13
输入电容:1088pF@20V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.4A€64.8A
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
功率:2.99W€55.5W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:15.3nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):DMTH4004SCTBQ-13
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
输入电容:4305pF@25V
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:49nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:3367pF@20V
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
连续漏极电流:22A€100A
ECCN:EAR99
功率:2.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LPSQ-13
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:15.5A€100A
类型:N沟道
功率:2.7W€150W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:1895pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH4006SPSQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:7mΩ@50A,10V
栅极电荷:50.9nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:110A
输入电容:2280pF@25V
阈值电压:4V@250µA
功率:1.6W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13
输入电容:1088pF@20V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.4A€64.8A
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
功率:2.99W€55.5W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:15.3nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.03W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6968pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LFGQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.62W€65.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2798pF@20V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: