品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3.4V@50µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:29A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3.4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:29A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3.4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:29A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3.4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:29A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3.4V@50µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:29A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3.4V@50µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:29A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3.4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:29A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3.4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:29A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3.4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:29A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3.4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:29A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3.4V@50µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:29A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3.4V@50µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:29A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3.4V@50µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:29A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3.4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:29A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3.4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:29A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-BE3
功率:3W€100W
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:130nC@10V
漏源电压:40V
导通电阻:15mΩ@30A,10V
输入电容:5400pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N04NM5ATMA1
输入电容:3900pF@20V
功率:3W€100W
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.4V@50µA
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:55nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
连续漏极电流:29A€170A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N04NM5ATMA1
输入电容:3900pF@20V
功率:3W€100W
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.4V@50µA
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:55nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
连续漏极电流:29A€170A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3.4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:29A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3.4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:29A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3.4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:29A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: