销售单位：个

规格型号(MPN)：G60N04K

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：29nC@10V

输入电容：1.8nF@20V

连续漏极电流：60A

类型：1个N沟道

反向传输电容：190pF@20V

导通电阻：5.3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJD45P04-AU_L2_000A1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2W€63W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：19nC@4.5V

输入电容：2.03nF@25V

连续漏极电流：45A€8.5A

类型：1个P沟道

导通电阻：17mΩ@15A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFSC010N08M7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.3W€78.1W

阈值电压：4.5V@120μA

栅极电荷：38nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.7nF@40V

连续漏极电流：12.5A€61A

类型：1个N沟道

反向传输电容：11pF@40V

导通电阻：7.6mΩ@10V，10A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDD8647L

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.1W€43W

阈值电压：3V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.64nF@20V

连续漏极电流：14A€42A

类型：1个N沟道

导通电阻：9mΩ@10V，13A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ034N04LS

工作温度：-55℃~+150℃

功率：52W

阈值电压：2V

栅极电荷：25nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.4mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDD8447L

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.1W€44W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：52nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.97nF@20V

连续漏极电流：15.2A€50A

类型：1个N沟道

导通电阻：8.5mΩ@10V，14A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MCU60P04-TP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：110W

阈值电压：2.8V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：97nC@10V

输入电容：5.235nF@20V

连续漏极电流：60A

类型：1个P沟道

导通电阻：8mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ028N04LS

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：2V

栅极电荷：45nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：114A

类型：MOSFET

导通电阻：2.7mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS8447

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：3V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：49nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.6nF@20V

连续漏极电流：12.8A

类型：1个N沟道

导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DI040P04D1-AQ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：52W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：59nC@10V

输入电容：3.538nF@20V

连续漏极电流：40A

类型：1个P沟道

导通电阻：15mΩ@10A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS8447

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：3V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：49nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.6nF@20V

连续漏极电流：12.8A

类型：1个N沟道

导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS8449

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：11nC@5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：760pF@20V

连续漏极电流：7.6A

类型：1个N沟道

导通电阻：29mΩ@10V，7.6A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G70P04K

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：1.4V@250μA

栅极电荷：42nC@10V

输入电容：4.714nF@20V

连续漏极电流：70A

类型：1个P沟道

反向传输电容：456pF@20V

导通电阻：7mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：3000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFSC010N08M7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.3W€78.1W

阈值电压：4.5V@120μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：38nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.7nF@40V

连续漏极电流：12.5A€61A

类型：1个N沟道

反向传输电容：11pF@40V

导通电阻：7.6mΩ@10V，10A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC010N04LSI

工作温度：-55℃~+150℃

功率：139W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：122nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：100A

类型：MOSFET

导通电阻：900μΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS8447

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：3V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：49nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.6nF@20V

连续漏极电流：12.8A

类型：1个N沟道

导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS8447

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：3V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：49nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.6nF@20V

连续漏极电流：12.8A

类型：1个N沟道

导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS8447

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：3V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：49nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.6nF@20V

连续漏极电流：12.8A

类型：1个N沟道

导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：3000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFSC010N08M7

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.3W€78.1W

阈值电压：4.5V@120μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：38nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.7nF@40V

连续漏极电流：12.5A€61A

类型：1个N沟道

反向传输电容：11pF@40V

导通电阻：7.6mΩ@10V，10A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC010N04LSI

工作温度：-55℃~+150℃

功率：139W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：122nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：100A

类型：MOSFET

导通电阻：900μΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS8447

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：3V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：49nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.6nF@20V

连续漏极电流：12.8A

类型：1个N沟道

导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC014N04LSI

工作温度：-55℃~+150℃

功率：96W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：55nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：100A

类型：MOSFET

导通电阻：1.45mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS8447

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：49nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.6nF@20V

连续漏极电流：12.8A

类型：1个N沟道

导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDD8447L

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.1W€44W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：52nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.97nF@20V

连续漏极电流：15.2A€50A

类型：1个N沟道

导通电阻：8.5mΩ@10V，14A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDD8647L

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.1W€43W

阈值电压：3V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.64nF@20V

连续漏极电流：14A€42A

类型：1个N沟道

导通电阻：9mΩ@10V，13A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS8447

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：3V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：49nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.6nF@20V

连续漏极电流：12.8A

类型：1个N沟道

导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDD8647L

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.1W€43W

阈值电压：3V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.64nF@20V

连续漏极电流：14A€42A

类型：1个N沟道

导通电阻：9mΩ@10V，13A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDD8647L

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.1W€43W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：28nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.64nF@20V

连续漏极电流：14A€42A

类型：1个N沟道

导通电阻：9mΩ@10V，13A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDS8447

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：49nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.6nF@20V

连续漏极电流：12.8A

类型：1个N沟道

导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：18050}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDD8447L

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.1W€44W

阈值电压：3V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：52nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.97nF@20V

连续漏极电流：15.2A€50A

类型：1个N沟道

导通电阻：8.5mΩ@10V，14A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1