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    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1341-C-TL-E 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1341-C-TL-E 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":700,"15+":220}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1341-C-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:1W€15W

    阈值电压:1.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STS10P4LLF6 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STS10P4LLF6 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STS10P4LLF6

    工作温度:150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3525pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STS10P4LLF6 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STS10P4LLF6 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STS10P4LLF6

    工作温度:150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3525pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 SFT1341-W 起订518个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1341-W 起订518个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":1000,"17+":20495}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1341-W

    工作温度:150℃

    功率:1W€15W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:650pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 SFT1341-C-TL-E 起订385个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1341-C-TL-E 起订385个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":700,"15+":220}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1341-C-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:1W€15W

    阈值电压:1.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订4000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订4000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STS10P4LLF6 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STS10P4LLF6 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STS10P4LLF6

    工作温度:150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3525pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1341-W 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1341-W 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":1000,"17+":20495}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1341-W

    工作温度:150℃

    功率:1W€15W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:650pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ST Mosfet场效应管 STS10P4LLF6 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STS10P4LLF6 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STS10P4LLF6

    工作温度:150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3525pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STS10P4LLF6 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STS10P4LLF6 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STS10P4LLF6

    工作温度:150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3525pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订4000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订4000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订6000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订6000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1341-W 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1341-W 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1341-W

    工作温度:150℃

    功率:1W€15W

    栅极电荷:8nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:650pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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