品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K514NU,LF
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@100µA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K217FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.2V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@1A,8V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K514NU,LF
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K217FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.2V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@1A,8V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6H19NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.2V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1A,8V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6H19NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.2V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1A,8V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K514NU,LF
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@4.5V
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输入电容:1110pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K514NU,LF
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K514NU,LF
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K514NU,LF
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6H19NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
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ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1A,8V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K514NU,LF
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6H19NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.2V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1A,8V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6H19NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.2V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1A,8V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K217FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.2V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@1A,8V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K217FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.2V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@1A,8V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K514NU,LF
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K217FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.2V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@1A,8V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6H19NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.2V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1A,8V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6H19NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.2V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1A,8V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K217FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.2V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@1A,8V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K217FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.2V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@1A,8V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K217FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.2V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@1A,8V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K514NU,LF
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K217FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.2V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@1A,8V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K217FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.2V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@1A,8V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K514NU,LF
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K514NU,LF
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6H19NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.2V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@1A,8V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K217FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.2V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@1A,8V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: