包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB48EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：48W

阈值电压：3.3V@250μA

栅极电荷：40nC@10V

输入电容：2.35nF@25V

连续漏极电流：30A

类型：2个N沟道

导通电阻：5.2mΩ@8A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40014M-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2.4V@250μA

栅极电荷：275nC@10V

输入电容：15.78nF@20V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

导通电阻：990mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46ELP-T1_BE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

阈值电压：2.2V@250μA

栅极电荷：40nC@10V

输入电容：2.1nF@25V

连续漏极电流：30A

类型：2个N沟道

导通电阻：8mΩ@8A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJQ148ER-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：394W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：102nC@10V

输入电容：5.75nF@25V

连续漏极电流：372A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.5mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJQ148ER-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：394W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：102nC@10V

输入电容：5.75nF@25V

连续漏极电流：372A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.5mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJQ148ER-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：394W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：102nC@10V

输入电容：5.75nF@25V

连续漏极电流：372A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.5mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJQ148ER-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：394W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：102nC@10V

输入电容：5.75nF@25V

连续漏极电流：372A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.5mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ154EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：214W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：43nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：243A

类型：MOSFET

导通电阻：2.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：195nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10.93nF@20V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.67mΩ@30A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB48EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：48W

阈值电压：3.3V@250μA

栅极电荷：40nC@10V

输入电容：2.35nF@25V

连续漏极电流：30A

类型：2个N沟道

导通电阻：5.2mΩ@8A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB48EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：48W

阈值电压：3.3V@250μA

栅极电荷：40nC@10V

输入电容：2.35nF@25V

连续漏极电流：30A

类型：2个N沟道

导通电阻：5.2mΩ@8A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46ELP-T1_BE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

阈值电压：2.2V@250μA

栅极电荷：40nC@10V

输入电容：2.1nF@25V

连续漏极电流：30A

类型：2个N沟道

导通电阻：8mΩ@8A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB48EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：48W

阈值电压：3.3V@250μA

栅极电荷：40nC@10V

输入电容：2.35nF@25V

连续漏极电流：30A

类型：2个N沟道

导通电阻：5.2mΩ@8A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_BE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：4W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：43nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：8A

类型：MOSFET

导通电阻：20mΩ€20mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJQ148ER-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：394W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：102nC@10V

输入电容：5.75nF@25V

连续漏极电流：372A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.5mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40014M-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2.4V@250μA

栅极电荷：275nC@10V

输入电容：15.78nF@20V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

导通电阻：990mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR402EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：7.5W€150W

阈值电压：2.3V@250μA

栅极电荷：165nC@10V

输入电容：9.1nF@20V

连续漏极电流：291A€65.2A

类型：1个N沟道

导通电阻：0.88mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：195nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10.93nF@20V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.67mΩ@30A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：195nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10.93nF@20V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.67mΩ@30A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：210nC@10V

输入电容：9.95nF@25V

连续漏极电流：50A

类型：1个P沟道

导通电阻：8.5mΩ@25A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB44EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：48W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：33.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：5.2mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1