采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：995}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF10N50UT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1130pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT8P50
工作温度：-55℃~150℃
功率：180W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH8P50
工作温度：-55℃~150℃
功率：180W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：995}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF10N50UT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1130pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：995}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF10N50UT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1130pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH8P50
工作温度：-55℃~150℃
功率：180W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH8P50
工作温度：-55℃~150℃
功率：180W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF10N50UT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1130pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT8P50
工作温度：-55℃~150℃
功率：180W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT8P50
工作温度：-55℃~150℃
功率：180W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF10N50UT
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1130pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8N50NZ
漏源电压：500V
栅极电荷：18nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：8A
包装方式：管件
导通电阻：850mΩ@4A，10V
输入电容：735pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
