采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50ND
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5NM50T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP1R6N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
栅极电荷：23.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@800mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP1R6N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
栅极电荷：23.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@800mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP1R6N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
栅极电荷：23.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@800mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5NM50AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5NM50AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50ND
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA1R6N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
栅极电荷：23.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@800mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5NM50AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5NM50AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP1R6N50D2
栅极电荷：23.7nC@5V
漏源电压：500V
导通电阻：2.3Ω@800mA，0V
输入电容：645pF@25V
包装方式：管件
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.6A
功率：100W
类型：N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5NM50AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA1R6N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
栅极电荷：23.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@800mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5NM50AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD5NM50AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP1R6N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@800mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP1R6N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
栅极电荷：23.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@800mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP1R6N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@800mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP1R6N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@800mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP1R6N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：645pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@800mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
