采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N50FTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT4N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1246，"13+"：9250，"14+"：68500，"17+"：74065}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD04N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：308pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB10N50CFTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：143W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2210pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB12N50TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：165W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1315pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6834，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N50TM-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9400pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT4N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：330，"23+"：122}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N50FTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N50FTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT4N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB10N50CFTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：143W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2210pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N50FTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50FTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.55Ω@1.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：257，"22+"：154}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N50CTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6834，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N50TM-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9400pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT4N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT4N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1475，"12+"：18761}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：58W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：329pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3N50NZTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6834，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N50TM-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9400pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
