采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTX40P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11500pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@20A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTR40P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11500pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@20A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTX40P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11500pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@20A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTX40P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11500pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@20A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTN40P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11500pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@500mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A50D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTR40P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11500pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@20A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTN40P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11500pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@500mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5017BVRG
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5280pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@500mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A50D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A50D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTR40P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11500pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@20A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A50D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5020BVFRG
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4440pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@500mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SMA5118
工作温度：150℃
功率：4W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：770pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：6N-沟道（3相桥）
导通电阻：1.4Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A50D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTR40P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11500pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@20A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A50D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@6A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5020BVFRG
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4440pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@500mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
