采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG20N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：4000，"19+"：8236}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5014DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG20N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP20N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：14349，"22+"：211，"MI+"：120}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：239W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：14349，"22+"：211，"MI+"：120}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：239W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：4000，"19+"：8236}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5014DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：4000，"19+"：8236}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5014DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：239W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：239W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：239W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：239W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP20N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG20N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG20N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：239W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA20N50E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：14349，"22+"：211，"MI+"：120}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：239W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：14349，"22+"：211，"MI+"：120}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：239W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：14349，"22+"：211，"MI+"：120}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：239W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG20N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP20N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP20N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：4000，"19+"：8236}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5014DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：4000，"19+"：8236}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5014DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：4000，"19+"：8236}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5014DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA20N50E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：239W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：239W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP20N50E-GE3
漏源电压：500V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
功率：179W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
输入电容：1640pF@100V
栅极电荷：92nC@10V
ECCN：EAR99
导通电阻：184mΩ@10A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
