采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：257，"22+"：154}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N50CTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD5N50
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.14Ω@10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：200pF@25V
功率：2.5W
类型：N沟道
连续漏极电流：350mA
导通电阻：10Ω@300mA，0V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N50CTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N50CTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N50CTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：257，"22+"：154}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N50CTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：257，"22+"：154}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N50CTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：257，"22+"：154}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N50CTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD5N50
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.14Ω@10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD5N50
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.14Ω@10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD5N50
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.14Ω@10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N50CTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
