品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI840GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZDX050N50
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:散装
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI840GLCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":21000,"MI+":2000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF8N50NZU
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:735pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R5007ANX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:散装
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@3.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R5007FNX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:散装
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@3.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI840GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":21000,"MI+":2000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF8N50NZU
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:735pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI840GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI840GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI840GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZDX080N50
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI840GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZDX050N50
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:散装
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":21000,"MI+":2000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF8N50NZU
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:735pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZDX130N50
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50FTM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@1.75A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI840GLCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZDX080N50
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):R5007ANX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:散装
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@3.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI840GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4565}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50UTM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI840GLCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R5007ANX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:散装
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@3.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI840GLCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI840GLCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI840GLCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: