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    Microchip Mosfet场效应管 MSC750SMA170B4 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 MSC750SMA170B4 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC750SMA170B4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.25V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:184pF@1360V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:940mΩ@2.5A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 MSC750SMA170B 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 MSC750SMA170B 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):90psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC750SMA170B

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.25V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:184pF@1360V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:940mΩ@2.5A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L028N170M1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L028N170M1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:535W

    阈值电压:4.3V@20mA

    栅极电荷:200nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:4230pF@800V

    连续漏极电流:81A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@60A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCT1000N170 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 SCT1000N170 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT1000N170

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:96W

    阈值电压:3.5V@1mA

    栅极电荷:13.3nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:133pF@1000V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@3A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Littelfuse Mosfet场效应管 LSIC1MO170E0750 起订1个装
    Littelfuse Mosfet场效应管 LSIC1MO170E0750 起订1个装

    品牌:Littelfuse

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):LSIC1MO170E0750

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:13nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:200pF@1000V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NZGC11 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NZGC11 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NZGC11

    工作温度:175℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@900µA

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订25个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订25个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 MSC035SMA170B 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 MSC035SMA170B 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC035SMA170B

    工作温度:-60℃~175℃

    功率:370W

    阈值电压:3.25V@2.5mA

    栅极电荷:178nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:3300pF@1000V

    连续漏极电流:68A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@30A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 MSC035SMA170B 起订25个装
    Microchip Mosfet场效应管 MSC035SMA170B 起订25个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC035SMA170B

    工作温度:-60℃~175℃

    功率:370W

    阈值电压:3.25V@2.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:178nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:3300pF@1000V

    连续漏极电流:68A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@30A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C2M0045170P 起订1个装
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C2M0045170P 起订1个装

    品牌:Wolfspeed

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):C2M0045170P

    工作温度:-40°C~150°C(TJ)

    功率:520W(Tc)

    阈值电压:4V @ 18mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:188 nC @ 20 V

    包装方式:管件

    输入电容:3672 pF @ 1000 V

    连续漏极电流:72A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:59 毫欧 @ 50A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订250个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订250个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订100个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订100个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订500个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订500个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:111pF@1000V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NZGC11 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NZGC11 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NZGC11

    工作温度:175℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@900µA

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW3N170 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW3N170 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW3N170

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:160mW

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:13Ω@1.3A,10V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C2M0045170P 起订10个装
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C2M0045170P 起订10个装

    品牌:Wolfspeed

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):C2M0045170P

    工作温度:-40°C~150°C(TJ)

    功率:520W(Tc)

    阈值电压:4V @ 18mA

    栅极电荷:188 nC @ 20 V

    包装方式:管件

    输入电容:3672 pF @ 1000 V

    连续漏极电流:72A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:59 毫欧 @ 50A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NZGC11 起订5个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NZGC11 起订5个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NZGC11

    工作温度:175℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@900µA

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 MSC750SMA170B 起订25个装
    Microchip Mosfet场效应管 MSC750SMA170B 起订25个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):90psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC750SMA170B

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.25V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:184pF@1360V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:940mΩ@2.5A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NZGC11 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NZGC11 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NZGC11

    工作温度:175℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@900µA

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订3个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订3个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订2500个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订2500个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:111pF@1000V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NZGC11 起订30个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2H12NZGC11 起订30个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2H12NZGC11

    工作温度:175℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@900µA

    栅极电荷:14nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:184pF@800V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订120个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订120个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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