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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
功率：57W
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
栅极电荷：17nC@18V
类型：N沟道
连续漏极电流：5.9A
阈值电压：4V@630µA
漏源电压：1700V
工作温度：175℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
栅极电荷：14nC@18V
类型：N沟道
漏源电压：1700V
工作温度：175℃
功率：44W
输入电容：184pF@800V
阈值电压：4V@410µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NYTB
工作温度：175℃
功率：44W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
