品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
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包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
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漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
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漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2750NYTB
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:4V@630µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@800V
连续漏极电流:5.9A
类型:N沟道
导通电阻:975mΩ@1.7A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2750NYTB
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:4V@630µA
栅极电荷:17nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@800V
连续漏极电流:5.9A
类型:N沟道
导通电阻:975mΩ@1.7A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2750NYTB
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:4V@630µA
栅极电荷:17nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@800V
连续漏极电流:5.9A
类型:N沟道
导通电阻:975mΩ@1.7A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2750NYTB
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:4V@630µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@800V
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类型:N沟道
导通电阻:975mΩ@1.7A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2750NYTB
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:4V@630µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@800V
连续漏极电流:5.9A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
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类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@18V
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连续漏极电流:4A
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导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2750NYTB
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:4V@630µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@800V
连续漏极电流:5.9A
类型:N沟道
导通电阻:975mΩ@1.7A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2750NYTB
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:4V@630µA
栅极电荷:17nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@800V
连续漏极电流:5.9A
类型:N沟道
导通电阻:975mΩ@1.7A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2750NYTB
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:4V@630µA
栅极电荷:17nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@800V
连续漏极电流:5.9A
类型:N沟道
导通电阻:975mΩ@1.7A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2750NYTB
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:4V@630µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@800V
连续漏极电流:5.9A
类型:N沟道
导通电阻:975mΩ@1.7A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2750NYTB
功率:57W
导通电阻:975mΩ@1.7A,18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@800V
栅极电荷:17nC@18V
类型:N沟道
连续漏极电流:5.9A
阈值电压:4V@630µA
漏源电压:1700V
工作温度:175℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
栅极电荷:14nC@18V
类型:N沟道
漏源电压:1700V
工作温度:175℃
功率:44W
输入电容:184pF@800V
阈值电压:4V@410µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2750NYTB
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:4V@630µA
栅极电荷:17nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@800V
连续漏极电流:5.9A
类型:N沟道
导通电阻:975mΩ@1.7A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2750NYTB
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:4V@630µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@800V
连续漏极电流:5.9A
类型:N沟道
导通电阻:975mΩ@1.7A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2750NYTB
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:4V@630µA
栅极电荷:17nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@800V
连续漏极电流:5.9A
类型:N沟道
导通电阻:975mΩ@1.7A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2750NYTB
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:4V@630µA
栅极电荷:17nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@800V
连续漏极电流:5.9A
类型:N沟道
导通电阻:975mΩ@1.7A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2H12NYTB
工作温度:175℃
功率:44W
阈值电压:4V@410µA
栅极电荷:14nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@800V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,18V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存: