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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.1A€5.3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2374DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：735pF@10V
连续漏极电流：4.5A€5.9A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2367DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：23nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.8A€3.8A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2323DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2323DDS-T1-GE3
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功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2323DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2374DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：735pF@10V
连续漏极电流：4.5A€5.9A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2374DS-T1-GE3
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功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：735pF@10V
连续漏极电流：4.5A€5.9A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：735pF@10V
连续漏极电流：4.5A€5.9A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SI2374DS-T1-GE3
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功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：735pF@10V
连续漏极电流：4.5A€5.9A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SI2323DDS-T1-GE3
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功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
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阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
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输入电容：735pF@10V
连续漏极电流：4.5A€5.9A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SI2323DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2323DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SI2367DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：960mW€1.7W
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栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SI2323DDS-T1-BE3
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功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.1A€5.3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2323DDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.1A€5.3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2367DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2323DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2323DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2374DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：735pF@10V
连续漏极电流：4.5A€5.9A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.1A€5.3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2374DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：735pF@10V
连续漏极电流：4.5A€5.9A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2374DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：735pF@10V
连续漏极电流：4.5A€5.9A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：735pF@10V
连续漏极电流：4.5A€5.9A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2367DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：23nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@2.5A，4.5V
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