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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7868ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6110pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：3000，"11+"：1571}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3441PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@15V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7868ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6110pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5499，"22+"：801}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4D9P20X8
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€40W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10550pF@10V
连续漏极电流：18A€75A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4402
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4630pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4402
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4630pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7868ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6110pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4D9P20X8
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€40W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：109nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10550pF@10V
连续漏极电流：18A€75A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4D9P20X8
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€40W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：109nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10550pF@10V
连续漏极电流：18A€75A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5499，"22+"：801}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4D9P20X8
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€40W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10550pF@10V
连续漏极电流：18A€75A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7868ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6110pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6968BEDQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7868ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6110pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4402
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4630pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4402
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4630pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7868ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6110pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7868ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6110pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4402
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4630pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4402
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4630pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4402
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4630pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7868ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6110pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
