品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RU1C002ZPTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RU1C002ZPTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RU1C002ZPTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZM002P02T2L
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY100PZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RU1C002ZPTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZE002P02TL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZM002P02T2L
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZE002P02TL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RU1C002ZPTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RE1C002ZPTL
工作温度:-40℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZE002P02TL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RU1C002ZPTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZM002P02T2L
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RE1C002ZPTL
工作温度:-40℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZM002P02T2L
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8407_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8408_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZM002P02T2L
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: