品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG312P
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC642P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:925pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PN5033
功率:20V
包装方式:散装
连续漏极电流:20V
类型:P 通道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN26D0UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:散装
输入电容:14.1pF@15V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":979}
包装规格(MPQ):198psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3659-AZ
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1.7nF@10V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@40A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":567000}
包装规格(MPQ):508psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2680T1E-E2-AT
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:190pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC642P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:925pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PN5033
功率:20V
包装方式:散装
连续漏极电流:20V
类型:P 通道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PN5033
功率:20V
包装方式:散装
连续漏极电流:20V
类型:P 通道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC642P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:925pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):198psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3659-AZ
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1.7nF@10V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@40A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":979}
包装规格(MPQ):198psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3659-AZ
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1.7nF@10V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@40A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":54000}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3427-TL-E
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4V
包装方式:散装
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@2A,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":84593,"06+":1297}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG312P
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":979}
包装规格(MPQ):198psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3659-AZ
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1.7nF@10V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@40A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":54000}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3427-TL-E
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4V
包装方式:散装
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@2A,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":567000}
包装规格(MPQ):508psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2680T1E-E2-AT
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:190pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":84593,"06+":1297}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG312P
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PN5033
功率:20V
包装方式:散装
连续漏极电流:20V
类型:P 通道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):539psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6892A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:散装
输入电容:1333pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):198psc
生产批次:{"17+":979}
规格型号(MPN):2SK3659-AZ
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@40A,10V
输入电容:1.7nF@10V
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PN5033
类型:P 通道
漏源电压:20V
包装方式:散装
连续漏极电流:20V
功率:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):508psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2680T1E-E2-AT
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:190pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3427-TL-E
功率:1W
栅极电荷:6nC@4V
包装方式:散装
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@2A,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":567000}
包装规格(MPQ):508psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2680T1E-E2-AT
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:190pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3427-TL-E
功率:1W
栅极电荷:6nC@4V
包装方式:散装
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@2A,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3427-TL-E
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4V
包装方式:散装
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@2A,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN336P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":979}
包装规格(MPQ):198psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3659-AZ
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1.7nF@10V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@40A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN336P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: