品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-13
连续漏极电流:3.4A
功率:760mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
输入电容:292pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2078LCA3-7
阈值电压:1.2V@250µA
连续漏极电流:3.4A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:228pF@10V
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
导通电阻:78mΩ@500mA,8V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F34FHTA
连续漏极电流:3.4A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:950mW
输入电容:277pF@10V
栅极电荷:2.8nC@4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:60mΩ@2.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-7
连续漏极电流:3.4A
功率:760mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
输入电容:292pF@10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
连续漏极电流:3.4A
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:6.6nC@4.5V
类型:N沟道
阈值电压:700mV@250µA
漏源电压:20V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-7
连续漏极电流:3.4A
功率:760mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
输入电容:292pF@10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2078LCA3-7
阈值电压:1.2V@250µA
连续漏极电流:3.4A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:228pF@10V
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
导通电阻:78mΩ@500mA,8V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2078LCA3-7
阈值电压:1.2V@250µA
连续漏极电流:3.4A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:228pF@10V
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
导通电阻:78mΩ@500mA,8V
类型:P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-13
连续漏极电流:3.4A
功率:760mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
输入电容:292pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2078LCA3-7
阈值电压:1.2V@250µA
连续漏极电流:3.4A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:228pF@10V
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
导通电阻:78mΩ@500mA,8V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
连续漏极电流:3.4A
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:6.6nC@4.5V
类型:N沟道
阈值电压:700mV@250µA
漏源电压:20V
功率:1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F34FHTA
连续漏极电流:3.4A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:950mW
输入电容:277pF@10V
栅极电荷:2.8nC@4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:60mΩ@2.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-7
连续漏极电流:3.4A
功率:760mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
输入电容:292pF@10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-13
连续漏极电流:3.4A
功率:760mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
输入电容:292pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:292pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:N-Channel
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2078LCA3-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:228pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:78mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:292pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2078LCA3-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:228pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:78mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F34FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:277pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2078LCA3-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:228pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:78mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:292pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:292pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2130LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@16V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:292pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:292pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:292pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: