采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：900mV@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@200mA，2.7V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@3V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7001 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.57nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@3V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@3V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7001 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.57nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@200mA，2.7V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@3V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@200mA，2.7V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：900mV@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@200mA，2.7V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMUDM7001 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.57nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7001 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.57nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMUDM7001 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.57nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
