品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4455,"20+":1633}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA910PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2805pF@10V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:301mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@5V
连续漏极电流:760mA
类型:P沟道
导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":78000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTR01P02LT1G
功率:400mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@5V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTA4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:301mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@5V
连续漏极电流:760mA
类型:P沟道
导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6321-TL-E
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:83mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA507PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:42nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2015pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@7.8A,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":56140}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS3113PTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1329pF@16V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS7D2P02P8ZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2790pF@10V
连续漏极电流:7.9A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN304PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN340P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:779pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN302P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882pF@10V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ661PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR3A30PZT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1651pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":2990}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6321-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:83mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":354,"22+":14000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTCG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9431A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN342P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":588000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS4101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:329mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@20V
连续漏极电流:1.37A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":110000,"13+":795000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1343-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMS5P02R2G
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@16V
连续漏极电流:3.95A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@5.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":12886}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1332-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2741}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3443T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@5V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":3000,"11+":1571}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3441PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@15V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA008P20LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4383pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC642P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: