品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A
功率:750mW
阈值电压:850mV@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.77A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A
功率:750mW
阈值电压:850mV@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.77A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A
功率:750mW
阈值电压:850mV@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.77A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A
功率:750mW
阈值电压:850mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.77A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A
功率:750mW
阈值电压:850mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.77A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A
功率:750mW
阈值电压:850mV@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.77A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LN2312LT1G
功率:750mW
连续漏极电流:4.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:41mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LN2312LT1G
功率:750mW
连续漏极电流:4.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:41mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A
功率:750mW
阈值电压:850mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.77A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A
功率:750mW
阈值电压:850mV@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.77A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A
功率:750mW
阈值电压:850mV@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.77A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A
功率:750mW
阈值电压:850mV@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.77A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A
功率:750mW
阈值电压:850mV@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.77A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A
功率:750mW
阈值电压:850mV@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.77A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A
功率:750mW
阈值电压:850mV@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.77A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A
功率:750mW
阈值电压:850mV@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.77A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A
功率:750mW
阈值电压:850mV@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.77A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A
功率:750mW
阈值电压:850mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.77A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LN2312LT1G
功率:750mW
连续漏极电流:4.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:41mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LN2312LT1G
类型:1个N沟道
漏源电压:20V
导通电阻:41mΩ@4.5V,5A
功率:750mW
连续漏极电流:4.9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A
阈值电压:850mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:33mΩ@4.5V,5A
类型:1个N沟道
连续漏极电流:3.77A
漏源电压:20V
功率:750mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A
阈值电压:850mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:33mΩ@4.5V,5A
类型:1个N沟道
连续漏极电流:3.77A
漏源电压:20V
功率:750mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LN2312LT1G
类型:1个N沟道
漏源电压:20V
导通电阻:41mΩ@4.5V,5A
功率:750mW
连续漏极电流:4.9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A
阈值电压:850mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:33mΩ@4.5V,5A
类型:1个N沟道
连续漏极电流:3.77A
漏源电压:20V
功率:750mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A
功率:750mW
阈值电压:850mV@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.77A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312A
功率:750mW
阈值电压:850mV@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.77A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2312CX RFG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:4.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LN2312LT1G
功率:750mW
连续漏极电流:4.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:41mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2312CX RFG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:4.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2312CX RFG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:4.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: