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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK4D16-20X
工作温度：-55℃~+175℃
功率：19W
阈值电压：1.3V
栅极电荷：15nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：26A
类型：MOSFET
导通电阻：16mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIAA02DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：19W
阈值电压：1.6V
栅极电荷：22nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：52A
类型：MOSFET
导通电阻：4.7mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIAA02DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：19W
阈值电压：1.6V
栅极电荷：22nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：52A
类型：MOSFET
导通电阻：4.7mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIAA02DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：19W
阈值电压：1.6V
栅极电荷：22nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：52A
类型：MOSFET
导通电阻：4.7mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK4D16-20X
工作温度：-55℃~+175℃
功率：19W
阈值电压：1.3V
栅极电荷：15nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：26A
类型：MOSFET
导通电阻：16mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK4D16-20X
工作温度：-55℃~+175℃
功率：19W
阈值电压：1.3V
栅极电荷：15nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：26A
类型：MOSFET
导通电阻：16mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK4D16-20X
工作温度：-55℃~+175℃
功率：19W
阈值电压：1.3V
栅极电荷：15nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：26A
类型：MOSFET
导通电阻：16mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK4D16-20X
工作温度：-55℃~+175℃
功率：19W
阈值电压：1.3V
栅极电荷：15nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：26A
类型：MOSFET
导通电阻：16mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIAA02DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：19W
阈值电压：1.6V
栅极电荷：22nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：52A
类型：MOSFET
导通电阻：4.7mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1630
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
栅极电荷：69nC@10V
漏源电压：20V
功率：19W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
栅极电荷：69nC@10V
漏源电压：20V
功率：19W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJ-T1-GE3
功率：19W
阈值电压：1.2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：16.5mΩ@4.5V，7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1630
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1630
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1630
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1630
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK4D16-20X
工作温度：-55℃~+175℃
功率：19W
阈值电压：1.3V
栅极电荷：15nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：26A
类型：MOSFET
导通电阻：16mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK4D16-20X
工作温度：-55℃~+175℃
功率：19W
阈值电压：1.3V
栅极电荷：15nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：26A
类型：MOSFET
导通电阻：16mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
