采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：2301
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2301
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2301
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN335N
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2301
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN335N
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J355R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30.1mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2301
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2301
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2301
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2301
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2301
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J355R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30.1mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J355R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30.1mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2301
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J355R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30.1mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN335N
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN335N
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN335N
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2301
栅极电荷：12nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
功率：1W
输入电容：405pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2301
栅极电荷：12nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
功率：1W
输入电容：405pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2301
栅极电荷：12nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
功率：1W
输入电容：405pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4455，"20+"：1633}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：110000，"13+"：795000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1343-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：12886}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1332-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J328R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：29.8mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5C060BCTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：21.1mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
