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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20.2mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20.2mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2016LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2016LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20.2mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20.2mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416A
功率：1.39W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：10nC
输入电容：1.3nF
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：13mΩ@4.5V，7.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2028UFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20.2mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20.2mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20.2mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20.2mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20.2mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20.2mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20.2mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20.2mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416A
功率：1.39W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：10nC
输入电容：1.3nF
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：13mΩ@4.5V，7.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFU-7
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：20.2mΩ@4.5A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：887pF@10V
类型：2N沟道（双）共漏
功率：900mW
连续漏极电流：7.5A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFU-7
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：20.2mΩ@4.5A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：887pF@10V
类型：2N沟道（双）共漏
功率：900mW
连续漏极电流：7.5A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFU-7
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：20.2mΩ@4.5A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：887pF@10V
类型：2N沟道（双）共漏
功率：900mW
连续漏极电流：7.5A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFU-7
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：20.2mΩ@4.5A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：887pF@10V
类型：2N沟道（双）共漏
功率：900mW
连续漏极电流：7.5A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416
功率：1.39W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：10nC
输入电容：1.3nF
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：13mΩ@4.5V，7.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416A
功率：1.39W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：10nC
输入电容：1.3nF
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：13mΩ@4.5V，7.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416
功率：1.39W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：10nC
输入电容：1.3nF
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：13mΩ@4.5V，7.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416
功率：1.39W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：10nC
输入电容：1.3nF
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：13mΩ@4.5V，7.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20.2mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20.2mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：YJL3416A-ES
功率：1.39W
阈值电压：700mV
栅极电荷：10nC
输入电容：1.3nF
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：13mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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