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    漏源电压: 20V
    行业应用: 工业
    类型: 1个N沟道
    功率: 1.1W
    当前匹配商品:3
    商品信息
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    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B03E6TA 起订750个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B03E6TA 起订750个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B03E6TA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:14.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.16nF@10V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5V,4.3A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPT2N32-6/TR 起订1200个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPT2N32-6/TR 起订1200个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WPT2N32-6/TR

    功率:1.1W

    阈值电压:860mV@250μA

    连续漏极电流:800mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@4.5V,550mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPT2N32-6/TR 起订100个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPT2N32-6/TR 起订100个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WPT2N32-6/TR

    功率:1.1W

    阈值电压:860mV@250μA

    连续漏极电流:800mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:600mΩ@4.5V,550mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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