品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"06+":2201,"08+":6490,"10+":6061}
规格型号(MPN):NTMD2C02R2G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N和P沟道
导通电阻:43mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:1100pF@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.2A€3.4A
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT2G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
连续漏极电流:540mA€430mA
输入电容:150pF@16V
类型:N和P沟道
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME1034CZT
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.8A€2.6A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N和P沟道
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3169CZT5G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA€200mA
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:12.5pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:22+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6332C
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:113pF@10V
导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V
类型:N和P沟道
功率:300mW
连续漏极电流:700mA€600mA
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD3100CT1G
阈值电压:1.2V@250µA
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N和P沟道
输入电容:165pF@10V
功率:1.1W
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.9A€3.2A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3169CZT5G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA€200mA
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:12.5pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":1688948,"17+":1161}
规格型号(MPN):MCH6660-TL-H
导通电阻:136mΩ@1A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:150℃
输入电容:128pF@10V
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
连续漏极电流:2A€1.5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1032CZ
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:340pF@10V
阈值电压:1.5V@250µA
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:3.7A€3.1A
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3169CZT5G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA€200mA
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
类型:N和P沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:12.5pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"13+":60000,"18+":27000,"9999":15000}
规格型号(MPN):EMH2604-TL-H
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
功率:1.2W
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
连续漏极电流:4A€3A
ECCN:EAR99
输入电容:345pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD3102CT1G
阈值电压:1.2V@250µA
类型:N和P沟道
导通电阻:45mΩ@4.4A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
连续漏极电流:4A€3.1A
漏源电压:20V
输入电容:510pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6327C
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@10V
导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:700mW
连续漏极电流:2.7A€1.9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT1G
输入电容:150pF@16V
类型:N和P沟道
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:540mA€430mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD3102CT1G
阈值电压:1.2V@250µA
类型:N和P沟道
导通电阻:45mΩ@4.4A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
连续漏极电流:4A€3.1A
漏源电压:20V
输入电容:510pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT2G
输入电容:150pF@16V
类型:N和P沟道
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:540mA€430mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6327C
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@10V
导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:700mW
连续漏极电流:2.7A€1.9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJD3119CTBG
连续漏极电流:2.6A€2.3A
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:65mΩ@3.8A,4.5V
输入电容:271pF@10V
功率:710mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME1034CZT
功率:600mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.8A€2.6A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N和P沟道
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT2G
输入电容:150pF@16V
类型:N和P沟道
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:540mA€430mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3169CZT5G
功率:125mW
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA€200mA
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:12.5pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6327C
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@10V
导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:700mW
连续漏极电流:2.7A€1.9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT2G
输入电容:150pF@16V
类型:N和P沟道
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:540mA€430mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6420C
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:324pF@10V
连续漏极电流:3A€2.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:70mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD3100CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@10V
连续漏极电流:2.9A€3.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6327C
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@10V
连续漏极电流:2.7A€1.9A
类型:N和P沟道
导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6332C
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:113pF@10V
连续漏极电流:700mA€600mA
类型:N和P沟道
导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJD3119CTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:271pF@10V
连续漏极电流:2.6A€2.3A
类型:N和P沟道
导通电阻:65mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6327C
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@10V
连续漏极电流:2.7A€1.9A
类型:N和P沟道
导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD3100CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@10V
连续漏极电流:2.9A€3.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: