销售单位：个

规格型号(MPN)：PJT7800_R1_00001

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1V@250μA

栅极电荷：1.6nC@4.5V

输入电容：92pF@10V

连续漏极电流：1A

类型：2个N沟道

导通电阻：150mΩ@4.5V，1A

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJT7800_R1_00001

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1V@250μA

栅极电荷：1.6nC@4.5V

输入电容：92pF@10V

连续漏极电流：1A

类型：2个N沟道

导通电阻：150mΩ@4.5V，1A

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJT7800_R1_00001

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1V@250μA

栅极电荷：1.6nC@4.5V

输入电容：92pF@10V

连续漏极电流：1A

类型：2个N沟道

导通电阻：150mΩ@4.5V，1A

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI2312A-TP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：500mV

ECCN：EAR99

栅极电荷：4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：25mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI2312A-TP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：500mV

ECCN：EAR99

栅极电荷：4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：25mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJT7800_R1_00001

功率：350mW

工作温度：-55℃~+150℃

栅极电荷：1.6nC@4.5V

阈值电压：1V@250μA

连续漏极电流：1A

漏源电压：20V

输入电容：92pF@10V

类型：2个N沟道

导通电阻：150mΩ@4.5V，1A

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI2312A-TP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：500mV

ECCN：EAR99

栅极电荷：4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：25mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI2312A-TP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：500mV

ECCN：EAR99

栅极电荷：4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：25mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI2312A-TP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：500mV

ECCN：EAR99

栅极电荷：4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：25mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI2312A-TP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：500mV

ECCN：EAR99

栅极电荷：4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：25mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI2312A-TP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：500mV

ECCN：EAR99

栅极电荷：4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：25mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1