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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：568mW（Ta）
阈值电压：1.3V @ 250µA
栅极电荷：4.5 nC @ 4.5 V
连续漏极电流：1.4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：150 毫欧 @ 1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：568mW（Ta）
阈值电压：1.3V @ 250µA
栅极电荷：4.5 nC @ 4.5 V
连续漏极电流：1.4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：150 毫欧 @ 1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：568mW（Ta）
阈值电压：1.3V @ 250µA
栅极电荷：4.5 nC @ 4.5 V
连续漏极电流：1.4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：150 毫欧 @ 1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：800mW
阈值电压：1.3V @ 250µA
栅极电荷：6nC @ 4.5V
输入电容：435pF @ 10V
连续漏极电流：3A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：120 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：800mW
阈值电压：1.3V @ 250µA
栅极电荷：6nC @ 4.5V
输入电容：435pF @ 10V
连续漏极电流：3A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：120 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：800mW
阈值电压：1.3V @ 250µA
栅极电荷：6nC @ 4.5V
输入电容：435pF @ 10V
连续漏极电流：3A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：120 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8499DB-T2-E1
输入电容：1300 pF @ 10 V
类型：P 通道
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：30 nC @ 5 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.77W（Ta），13W（Tc）
漏源电压：20V
阈值电压：1.3V @ 250µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：16A（Tc）
导通电阻：32 毫欧 @ 1.5A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
