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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6M2T2R
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1V@1mA
类型：N+P-Channel
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：0.2A
漏源电压：20V
导通电阻：1Ω@200mA，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM002N02T2L
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
漏源电压：20V
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C002UNTCL
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
导通电阻：1.2Ω@100mA，2.5V
漏源电压：20V
类型：N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM002N02T2L
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
漏源电压：20V
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUE002N02TL
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
漏源电压：20V
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K7T2R
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C002UNTCL
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
导通电阻：1.2Ω@100mA，2.5V
漏源电压：20V
类型：N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C002UNTCL
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：0.2A
导通电阻：1.2Ω@100mA，2.5V
漏源电压：20V
类型：N-Channel
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM002N02T2L
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
漏源电压：20V
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K37CT，L3F
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：12pF@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：20V
功率：100mW
导通电阻：2.2Ω@100mA，4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM002N02T2L
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
漏源电压：20V
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C002UNTCL
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：0.2A
导通电阻：1.2Ω@100mA，2.5V
漏源电压：20V
类型：N-Channel
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM002N02T2L
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
输入电容：25pF@10V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C002UNTCL
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
导通电阻：1.2Ω@100mA，2.5V
漏源电压：20V
类型：N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUE002N02TL
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
漏源电压：20V
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM002N02T2L
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
漏源电压：20V
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM002N02T2L
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：0.2A
漏源电压：20V
类型：N-Channel
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM002N02T2L
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
漏源电压：20V
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM002N02T2L
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：0.2A
漏源电压：20V
类型：N-Channel
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1C002UNTCL
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
输入电容：25pF@10V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K37FS，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：12pF@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：20V
功率：100mW
导通电阻：2.2Ω@100mA，4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1C002UNTCL
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
漏源电压：20V
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM002N02T2L
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
漏源电压：20V
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM002N02T2L
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
漏源电压：20V
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6M2T2R
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：1V@1mA
类型：N+P-Channel
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：0.2A
漏源电压：20V
导通电阻：1Ω@200mA，4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM002N02T2L
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
漏源电压：20V
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K7T2CR
工作温度：150℃
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：2N-Channel
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6M2T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：0.2A
类型：N+P-Channel
导通电阻：1Ω@200mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K37CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1544
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K7T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
