采购热线 400-661-9010
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2101W
功率：290mW
阈值电压：700mV@250μA
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2046C-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：1.07nC@4.5V
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：420mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNMD2162-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：18.9nC@4.5V
输入电容：1.371nF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个N沟道
反向传输电容：172pF@10V
导通电阻：14mΩ@4.5V，4.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2046C-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：1.07nC@4.5V
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：420mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416A
功率：1.39W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：10nC
输入电容：1.3nF
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：13mΩ@4.5V，7.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301DS-ES
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：57mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301DS-ES
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：57mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE2301-ES
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：57mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415E
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：14.2nC@4.5V
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个P沟道
反向传输电容：85pF@10V
导通电阻：37mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2101W
功率：290mW
阈值电压：700mV@250μA
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26N02K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：26nC@4.5V
输入电容：777pF@10V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
反向传输电容：140pF@10V
导通电阻：9mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2101W
功率：290mW
阈值电压：700mV@250μA
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2046C-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：1.07nC@4.5V
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：420mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26N02K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：26nC@4.5V
输入电容：777pF@10V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
反向传输电容：140pF@10V
导通电阻：9mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2046C-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：1.07nC@4.5V
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：420mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS040N02DP
功率：55W
阈值电压：700mV@250μA
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@2V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS040N02DP
功率：55W
阈值电压：700mV@250μA
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@2V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-GE3-ES
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：58mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE2301-ES
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：57mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AP2301B-ES
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：57mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTL3415KL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
反向传输电容：22pF@10V
导通电阻：31mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416A
功率：1.39W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：10nC
输入电容：1.3nF
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：13mΩ@4.5V，7.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2101W
导通电阻：100mΩ@4.5V，1A
功率：290mW
漏源电压：20V
类型：1个P沟道
连续漏极电流：1.4A
阈值电压：700mV@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26N02K
类型：1个N沟道
栅极电荷：26nC@4.5V
导通电阻：9mΩ@4.5V，3A
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
功率：33W
输入电容：777pF@10V
阈值电压：700mV@250μA
连续漏极电流：26A
反向传输电容：140pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415
功率：1.39W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：9.5nC
输入电容：750pF
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
反向传输电容：80pF
导通电阻：30mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CJ2301-ES
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：57mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CJ2301-ES
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：3.3nC
输入电容：405pF
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：55pF
导通电阻：57mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTL3415KL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
反向传输电容：22pF@10V
导通电阻：31mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
