首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    漏源电压: 20V
    阈值电压: 1.6V@250µA
    当前匹配商品:80+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7868ADP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7868ADP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6110pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441PT1G 起订3562个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441PT1G 起订3562个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":3000,"11+":1571}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3441PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@15V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6968BEDQ-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6968BEDQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD424 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD424 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD424

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€100W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4630pF@10V

    连续漏极电流:18A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6968BEDQ-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6968BEDQ-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7868ADP-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7868ADP-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6110pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD424 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD424 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD424

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€100W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4630pF@10V

    连续漏极电流:18A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4D9P20X8 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4D9P20X8 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5499,"22+":801}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4D9P20X8

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€40W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:109nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10550pF@10V

    连续漏极电流:18A€75A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4402 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4402 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4402

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4630pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4402 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4402 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4402

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4630pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7868ADP-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7868ADP-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6110pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4D9P20X8 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4D9P20X8 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4D9P20X8

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€40W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:109nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10550pF@10V

    连续漏极电流:18A€75A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4D9P20X8 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4D9P20X8 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4D9P20X8

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€40W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:109nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10550pF@10V

    连续漏极电流:18A€75A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD424 起订30个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD424 起订30个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD424

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€100W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4630pF@10V

    连续漏极电流:18A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6968BEDQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD424 起订7个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD424 起订7个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD424

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€100W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4630pF@10V

    连续漏极电流:18A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6968BEDQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4D9P20X8 起订481个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4D9P20X8 起订481个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5499,"22+":801}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4D9P20X8

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€40W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:109nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10550pF@10V

    连续漏极电流:18A€75A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7868ADP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7868ADP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6110pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6968BEDQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6968BEDQ-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6968BEDQ-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6968BEDQ-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6968BEDQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:22mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD424 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD424 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD424

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€100W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4630pF@10V

    连续漏极电流:18A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7868ADP-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7868ADP-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6110pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD424 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD424 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD424

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€100W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4630pF@10V

    连续漏极电流:18A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD424 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD424 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD424

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€100W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4630pF@10V

    连续漏极电流:18A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4402 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4402 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4402

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4630pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧