品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G6N02L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G6N02L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G6N02L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G6N02L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G6N02L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G6N02L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2044UCB4-7
功率:720mW
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
类型:N沟道
输入电容:1400pF@10V
导通电阻:40mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB23XNEZ
导通电阻:22mΩ@7A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:1136pF@10V
类型:N沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:1.7W
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMX100UNEZ
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
功率:300mW€4.7W
导通电阻:160mΩ@1A,4.5V
类型:N沟道
输入电容:123pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968U-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
输入电容:151pF@10V
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
功率:1.3W
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UQ-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
输入电容:151pF@10V
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
功率:1.3W
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFB-7
功率:470mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
连续漏极电流:750mA
输入电容:36pF@16V
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB43UNEZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
输入电容:551pF@10V
功率:400mW€8.33W
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G6N02L
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
类型:N沟道
输入电容:1140pF@10V
功率:1.8W
栅极电荷:12.5nC@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFB4-7
功率:470mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
连续漏极电流:750mA
输入电容:36pF@16V
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV30UN2R
连续漏极电流:4.2A
功率:490mW€5W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:11nC@4.5V
输入电容:655pF@10V
漏源电压:20V
导通电阻:32mΩ@4.2A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3414UQ-7
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:9.6nC@4.5V
功率:780mW
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:829.9pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN16XNEX
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
输入电容:1136pF@10V
类型:N沟道
栅极电荷:17nC@4.5V
连续漏极电流:6.9A
功率:550mW€6.25W
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:19mΩ@6.9A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8472DB-T2-E1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
输入电容:630pF@10V
类型:N沟道
栅极电荷:18nC@8V
功率:780mW
漏源电压:20V
导通电阻:44mΩ@1.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UQ-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
输入电容:151pF@10V
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
功率:1.3W
漏源电压:20V
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968U-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
输入电容:151pF@10V
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
功率:1.3W
漏源电压:20V
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020UFCL-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1788pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
功率:610mW
类型:N沟道
栅极电荷:21.5nC@4.5V
连续漏极电流:9A
漏源电压:20V
导通电阻:14mΩ@9A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024UQ-7
输入电容:647pF@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2300-TP
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:4.2nC@4.5V
类型:N沟道
输入电容:482pF@10V
导通电阻:25mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
功率:1W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMX100UNEZ
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
功率:300mW€4.7W
导通电阻:160mΩ@1A,4.5V
类型:N沟道
输入电容:123pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMX100UNZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
功率:300mW€4.7W
类型:N沟道
漏源电压:20V
导通电阻:210mΩ@1A,4.5V
连续漏极电流:1.3A
输入电容:144pF@10V
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD402ED-T1-GE3
导通电阻:730mΩ@200mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
栅极电荷:1.2nC@8V
输入电容:16pF@10V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB43UNEZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
输入电容:551pF@10V
功率:400mW€8.33W
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB43UNEZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
输入电容:551pF@10V
功率:400mW€8.33W
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UQ-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
输入电容:151pF@10V
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
功率:1.3W
漏源电压:20V
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存: