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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ2800_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
输入电容：660pF@10V
功率：490mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041UVT-7
导通电阻：28mΩ@8.2A，4.5V
连续漏极电流：5.8A
输入电容：689pF@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
功率：1.1W
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1024X-T1-GE3
功率：250mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：485mA
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9926USD-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
导通电阻：24mΩ@8.2A，4.5V
类型：2N沟道（双）
功率：1.3W
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：8A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9926USD-13
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：8A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
导通电阻：24mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）
功率：1.3W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ2800_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：515pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041UVT-7
导通电阻：28mΩ@8.2A，4.5V
连续漏极电流：5.8A
输入电容：689pF@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
类型：2N沟道（双）
功率：1.1W
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041UVT-7
导通电阻：28mΩ@8.2A，4.5V
连续漏极电流：5.8A
输入电容：689pF@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
类型：2N沟道（双）
功率：1.1W
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UV-7
包装方式：卷带（TR）
功率：530mW
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
导通电阻：480mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
输入电容：36pF@16V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：1.33A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UV-7
包装方式：卷带（TR）
功率：530mW
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
导通电阻：480mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
输入电容：36pF@16V
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：1.33A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XNZ
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
输入电容：660pF@10V
功率：490mW€8.33W
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO7800
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@10V
连续漏极电流：900mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1024X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：485mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@16V
连续漏极电流：1.33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：480mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@16V
连续漏极电流：1.33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：480mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9926USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@16V
连续漏极电流：1.33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：480mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：689pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1024X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：485mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@16V
连续漏极电流：1.33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：480mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9926USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9926USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9926USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9926USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
