采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5590pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4.4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
