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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM500P02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
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漏源电压：20V
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输入电容：850pF@10V
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类型：P沟道
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输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
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导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
输入电容：850pF@10V
栅极电荷：9.6nC@4.5V
功率：1.56W
类型：P沟道
连续漏极电流：4.7A
阈值电压：800mV@250µA
漏源电压：20V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
输入电容：850pF@10V
栅极电荷：9.6nC@4.5V
功率：1.56W
类型：P沟道
连续漏极电流：4.7A
阈值电压：800mV@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM500P02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
输入电容：1.23nF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：2个P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
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销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
输入电容：1.23nF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：2个P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
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工作温度：-50℃~+150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
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连续漏极电流：4.7A
类型：2个P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
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销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：620mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
输入电容：1.23nF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：2个P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：9.6nC@4.5V
阈值电压：800mV@250μA
功率：620mW
连续漏极电流：4.7A
类型：2个P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
工作温度：-50℃~+150℃
输入电容：1.23nF@10V
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