采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RW1C026ZPT2CR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV48XPA2R
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€8.3W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：679pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：49mΩ@4A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：25455，"20+"：1633，"23+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301A
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN339AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN340P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@50µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：237pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28UNEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28UNEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.3A€3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN340P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1508
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：192000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLGF3501NT2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2102-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.2V@50µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB43UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2301CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB43UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：237pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@50µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：237pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：237pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@50µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：237pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2102-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.2V@50µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28UNEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€3.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW€1.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
