采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5656，"MI+"：3558}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5656，"MI+"：3558}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5656，"MI+"：3558}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
输入电容：4044pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@11A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：60nC@4.5V
输入电容：4.8nF@10V
连续漏极电流：37A
类型：1个P沟道
导通电阻：6.7mΩ@4.5V，15A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
