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    漏源电压: 20V
    栅极电荷: 3.5nC@4.5V
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    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5 起订13个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5 起订13个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25485F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:533pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@900mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2165UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2165UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2165UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6246TRPBF 起订6000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6246TRPBF 起订6000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6246TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@5µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@16V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25485F5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:533pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@900mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2165UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25485F5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:533pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@900mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25485F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:533pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@900mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25485F5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:533pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@900mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6246TRPBF 起订9000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6246TRPBF 起订9000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6246TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@5µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@16V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订55个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订55个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2165UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25485F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:533pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@900mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6246TRPBF 起订25个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6246TRPBF 起订25个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6246TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@5µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@16V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25485F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:533pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@900mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6246TRPBF 起订1200个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6246TRPBF 起订1200个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6246TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@5µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@16V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订数12000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订数12000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:600mΩ@4.5V,610mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6246TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6246TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6246TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@5µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@16V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2165UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2165UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25485F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:533pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@900mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2165UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P02FTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P02FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25485F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:533pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@900mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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