品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7157DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:625nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.6mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.95mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.95mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7633DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9500pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7157DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:625nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.6mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.95mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7633DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
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类型:P沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7157DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:625nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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类型:P沟道
导通电阻:1.6mΩ@25A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:6.25W€104W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:585nC@10V
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连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.95mΩ@25A,10V
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工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:625nC@10V
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连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.6mΩ@25A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI7633DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
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连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.4V@250µA
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连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.95mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.4V@250µA
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连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.95mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.4V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:20000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.95mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.95mΩ@25A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7633DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
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连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7633DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9500pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7633DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:60A
类型:P沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
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连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.95mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
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类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.95mΩ@25A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
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销售单位:个
规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.95mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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