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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2323CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM260P02CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM6963SDCA RVG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2537CQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流：11.6A€9A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4806CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：961pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4806CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：961pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3446CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2301ACX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4806CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：961pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160P02CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160P02CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2323CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM6963SDCA RVG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM6963SDCA RVG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM6963SDCA RVG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM260P02CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2323CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM260P02CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM6963SDCA RVG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM260P02CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM260P02CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3446CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM260P02CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM260P02CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2323CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM260P02CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2537CQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流：11.6A€9A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM260P02CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4806CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：961pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160P02CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
