采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON3814L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：17mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8810
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8820
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：21mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8810
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8810
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8820
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：21mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8820
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：21mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON3814
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：17mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8820
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：21mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON3814
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：17mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8810
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8820
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：21mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8810
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：20mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
