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    漏源电压: 20V
    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 1.5V@250µA
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 工业
    类型: N和P沟道
    当前匹配商品:300+
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    价格
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    onsemi Mosfet场效应管 FDC6420C 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6420C 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6420C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:324pF@10V

    连续漏极电流:3A€2.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:70mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3.9A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3.9A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6327C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@10V

    连续漏极电流:2.7A€1.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6332C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:113pF@10V

    连续漏极电流:700mA€600mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5513CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@10V

    连续漏极电流:4A€3.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6562CDQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:6.7A€6.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:22mΩ@5.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2020USD-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2020USD-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2020USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:7.8A€6.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW€340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V€43pF@10V

    连续漏极电流:700mA€700mA€400mA€500mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6327C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@10V

    连续漏极电流:2.7A€1.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6562CDQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:6.7A€6.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:22mΩ@5.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2020USD-13 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2020USD-13 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2020USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:7.8A€6.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6327C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@10V

    连续漏极电流:2.7A€1.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2020USD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2020USD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2020USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:7.8A€6.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C 起订8个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C 起订8个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6332C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:113pF@10V

    连续漏极电流:700mA€600mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5513CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@10V

    连续漏极电流:4A€3.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订14个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订14个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:700mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:390mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:700mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:390mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:700mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:390mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:700mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:390mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3.9A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513DC-T1-E3 起订17个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513DC-T1-E3 起订17个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:05+

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5513DC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.1A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:700mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:390mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6420C 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6420C 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6420C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:324pF@10V

    连续漏极电流:3A€2.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:70mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6420C 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6420C 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6420C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:324pF@10V

    连续漏极电流:3A€2.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:70mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9934C 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9934C 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9934C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@10V

    连续漏极电流:6.5A€5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5513CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@10V

    连续漏极电流:4A€3.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1032CZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1032CZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1032CZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@10V

    连续漏极电流:3.7A€3.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6562CDQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:6.7A€6.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:22mΩ@5.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2020USD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2020USD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2020USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:7.8A€6.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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