品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN335N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3415pF@10V
连续漏极电流:50.2A€177A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV305N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR404DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:97nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8130pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3415pF@10V
连续漏极电流:50.2A€177A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN335N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH106DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:6.1A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR404DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:97nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8130pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDV305N
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7106DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3415pF@10V
连续漏极电流:50.2A€177A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637BNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:895pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F30FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:452pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637BNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:895pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637BNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:895pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:6.1A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637BNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:895pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7106DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@19.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F34FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:277pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5125pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:856pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F30FHQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:452pF@10V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN339AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: